เปิดตัว!! หน่วยความจำแบบ QLCจุได้ถึง 1.5TB จากค่าย Toshiba

Toshiba Memory Corporation ได้ประกาศว่าสามารถพัฒนาหน่วยความจำแบบ BiCS FLASH 3D flash memory ได้สำเร็จเป็นครั้งแรกในโลก โดยหน่วยความจำแบบใหม่นี้สามารถทำงานได้ถึง 4 บิต ต่อ Cell (Quadruple-level cell, QLC) ซึ่งเป็นเทคโนโลยีใหม่ที่จะมาทดแทนหน่วยความจำแบบ TLC หรือ MLC ที่ใช้กันอยู่ในปัจจุบัน
Flash memory (หน่วยความจำแบบแฟลช) ที่เราใช้กันอยู่ทุกวันนี้ หลักการทำงานของมัน คือ มีทรานซิสเตอร์ที่เก็บข้อมูล “0” กับ “1” หนึ่งบิต เอาไว้ ซึ่งในหน่วยความจำก็จะมีหน่วยความจำนี้เรียงต่อกันเป็นจำนวนมาก (เรียกว่า NAND) ซึ่งต่อมาเพื่อให้สร้างหน่วยความจำที่ใหญ่ขึ้นได้ จึงมีการเรียงซ้อนกันเป็น Stack (ภาษาไทยขอใช้คำว่า “กอง” ละกัน) เรียกการออกแบบนี้ว่า 3D NAND
คาดการณ์ว่า เมื่อ QLC เข้าสู่ท้องตลาดจะส่งผลให้ราคาของหน่วยความจำแบบ MLC และ TLC ราคาต่อความจุจะปรับตัวลดลงอย่างแน่นอน ในตอนนี้ทาง Toshiba ได้เริ่มส่งตัวอย่างหน่วยความจำ 3D QLC NAND ให้กับตัวแทนจำหน่ายแล้ว แต่ยังไม่มีกำหนดการณ์ที่ชัดเจน
ขอบคุณข้อมูลจาก :thaiware.com,toshiba.semicon-storage.com

Sharing is caring!

bedava bahis